突破内存瓶颈，优化工作负载

• 英特尔® 傲腾™ 持久内存 (PMem) 在以下方面与 DRAM 有一些相似之处：封装在 DIMMS 中，与 DRAM 驻留在同一总线/通道上，并且可以采取与 DRAM 相同的方式来存储易失性数据。
• 英特尔® 傲腾™ 持久内存 (PMem) 与 DRAM 的不同之处在于：前者提供了许多令人兴奋的新功能。英特尔® 傲腾™ 持久内存的容量远远高于传统的 DRAM。英特尔® 傲腾™ 持久内存模块具有 128GB、256GB 和 512GB 多种容量，远远大于通常从 4GB 到 32GB 的 DRAM 模块，尽管后者也存在更大的容量。英特尔® 傲腾™ 持久内存甚至可以在不通电的情况下以持久模式存储数据，通过增加安全性来保证数据不受损。尽管英特尔® 傲腾™ 持久内存模块的速度不如 DRAM 模块那么快，但从成本/GB 的角度以及可将容量扩展到超过 DRAM 的能力来看，前者的 TCO 情况与 DRAM 相比有了很大的改善。

英特尔® 傲腾™ 持久内存 (PMem) 和英特尔® 傲腾™ 固态盘都使用了相同的英特尔® 傲腾™ 内存介质，但它们是完全不同的产品。英特尔® 傲腾™ 持久内存位于 DIMM 封装中，在 DRAM 总线上运行，可以是易失性的或持久的，并且能够作为 DRAM 的替代品。而英特尔® 傲腾™ 固态盘严格用于标准 NAND 封装模型（AIC、M.2、U.2、EDSFF 等）中的快速存储，并使用 NVMe* 协议驻留于 PCIe 总线上，出于存储原因可始终保持持久，并且可以作为快速存储的替代品。此外，英特尔® 傲腾™ 固态盘在产品方面与标准英特尔® 3D NAND 固态盘有所不同。它在所有队列深度（比 NAND 快 6 倍）上都具有突破性的性能（并在低深度上有所区别），在负载下的持续响应（在写入压力下比 NAND 快 63 倍），高服务质量（比 NAND 快 60 倍），以及非常高的耐用性（总写入字节量比 NAND 多 20 倍）。

NVDIMM（非易失性双列直插式内存模块）是一种混合内存，可在断电期间保存数据。NVDIMM 通常将非易失性 NAND 闪存与 DRAM 集成在一起，并在单个内存子系统上集成专用的备用电源。尽管它确实提供了持久性，但这个系统通常会更昂贵，因为您需要与 DRAM 模块一样多的 NAND 存储以及额外的电池备用子系统。而且发生断电时，保存和还原状态也会有所延迟。此外，如果电池未维护或损坏，则会失去备份功能。借助英特尔® 傲腾™ 持久内存，您可以实现即时持久性，而无需其他组件，无需担心更换电池，无需额外的存储设备，从而降低了成本，并且不会影响性能。