英特尔®eASIC™N3X28纳米低成本ASIC_10bet娱乐体育宝贝5.net

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英特尔® eASIC™ N3X 设备采用 28 纳米工艺制造,英特尔® eASIC™ N2XT 设备采用 45 纳米工艺制造。英特尔® eASIC™ 设备支持快速部署以逻辑、DSP 或 IO 为主导的定制设备。

英特尔® eASIC™ N3X 和 N2XT 设备

 

N2XLT190(45 纳米)

N3XT500(28 纳米)

eCell

184,320

503,424

eDFF

122,880

346,104

全加器

 

503,424

bRAM (KB)

5,161

15,409

bRAM 内存块

140

1,672

PLL

8

16

DLL

22

42

MGIO-T

8 (5.0Gbps)

18 (12.5Gbps)

 

CS160(7x11 毫米)

 

4/30

FC484(23 毫米)

2/484

8/316

FC672(27 毫米)

8/372

8/316

FC780(29 毫米)

 

14/336

FC896(31 毫米)

 

18/336

FC1152(35 毫米)

 

18/392

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